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<span style='color:red'>ROHM Semiconductor</span> 650V GaN HEMT功率级IC
<span style='color:red'>ROHM Semiconductor</span> GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET
  ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能,方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。  特性  》650V E模式GaN FET  》低导通电阻  》高速开关  》内置ESD保护  》高度可靠的设计  》帮助减少电源转换效率和尺寸  》出色的散热性能  》符合RoHS标准  应用  》高开关频率转换器  》高密度转换器  规范  》GNP1070TC-Z  》DFN8080K封装类型  》连续漏极电流范围:7.3A至20A  》脉冲漏极电流范围:24A至66A  》漏源电压:650V  》瞬态漏源电压:750V  》栅源电压范围:-10VDC 至+6VDC  》瞬态栅源电压:8.5V  》+25℃时功耗:56W  》栅极输入电阻:0.86Ω(典型值)  》输入电容:200pF(典型值)  》输出电容:50pF(典型值)  》输出电荷:44nC  》总栅极电荷:5.2nC(典型值)  》典型接通延迟时间:5.9ns  》典型上升时间:6.9ns  》典型关闭延迟时间:8.0ns  》典型下降时间:8.7ns  》GNP1150TCA-Z  》DFN8080AK封装样式  》连续漏极电流范围:5A至11A  》脉冲漏极电流范围:17A至35A  》漏源电压:650V  》瞬态漏源电压:750V  》栅源电压范围:-10VDC 至+6VDC  》瞬态栅源电压:8.5V  》+25℃时功耗:62.5W  》栅极输入电阻:2.6Ω(典型值)  》输入电容:112pF(典型值)  》输出电容:19pF(典型值)  》输出电荷:18.5nC  》典型总栅极电荷:2.7nC  》典型接通延迟时间:4.7ns  》典型上升时间:5.3ns  》典型关闭延迟时间:6.2ns  》典型下降时间:8.3ns
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发布时间:2023-06-19 13:12 阅读量:2080 继续阅读>>
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